Главная - Анонсы - 120 лет со дня рождения Олега Владимировича Лосева - выдающегося ученого и изобретателя в области полупроводниковой электроники.

120 лет со дня рождения Олега Владимировича Лосева – выдающегося ученого и изобретателя в области полупроводниковой электроники.

10 Май
23:55

О.В. Лосев – одна из замечательных, интересных и сложных фигур в истории российской радиоэлектроники. Фактически он затронул самые основы современной полупроводниковой технологии! Хотелось бы, чтобы молодежь сумела её оценить.

Академик А.В. Гапонов-Грехов

Олег Владимирович Лосев родился 10 мая (17 апреля) 1903 года в Твери. Учился в Тверском реальном училище (после Октябрьской революции – в школе II ступени), где преподавал физику Вадим Леонидович Лёвшин, впоследствии известный специалист в области люминесценции, профессор Московского государственного университета. Он и привил своему ученику интерес к физическим исследованиям.

В 1917 году юный О. Лосев посетил популярную лекцию «О сущности беспроволочного телеграфа» начальника Тверской радиостанции внешних сношений Владимира Михайловича Лещинского. С этого и началось увлечение радиотехникой.

Судьбоносными стали посещения радиостанции и встречи О. Лосева с помощником начальника Тверской радиостанции Михаилом Александровичем Бонч-Бруевичем и профессором Рижского политехнического института Владимиром Константиновичем Лебединским. При поддержке этих ученых О.В. Лосев осваивал основы радиотехники, оборудовал домашнюю лабораторию, экспериментировал с детекторными приемниками, построил ряд физических приборов для изучения электрических колебаний.

Сотрудники Тверской радиостанции и В.К. Лебединский.

Слева направо верхний ряд: И.В. Селиверстов, В.М. Лещинский, И.А. Леонтьев, В.К. Лебединский, М.А. Бонч-Бруевич, П.А. Остряков; нижний ряд – Л.Н. Салтыков, А.И. Антохин, Олег Лещинский (сын В.М. Лещинского)

Поступив в 1920 году в Московский институт связи (ныне – Московский технический университет связи и информатики), на проходившем в Москве Первом съезде Ассоциации русских физиков Лосев вновь встретился с В.К. Лебединским и М.А. Бонч-Бруевичем и получил приглашение на работу в Нижегородскую радиолабораторию (НРЛ), организованную в 1918 году.

В Нижегородской радиолаборатории О.В. Лосев работал с октября 1920 по август 1921 и с декабря 1922 по декабрь 1928 – в должностях лаборанта II категории, I категории и инженера-руководителя.

Практически сразу после приезда в Нижний Новгород О.В. Лосев приступил к научным исследованиям в лаборатории В.К. Лебединского.

В январе 1921 года юный экспериментатор направил в журнал «Радиотехник» первую работу «Умножители частоты», скромно подписанную одной буквой – «О». 13 января 1921 года, находясь в отпуске в Твери и продолжая работу в своей домашней лаборатории, О.В. Лосев обнаружил активные свойства детектора из цинкита. Открытие генерации электромагнитных колебаний высокой частоты контактом металл-полупроводник – одно из самых значительных достижений О.В. Лосева.

Созданный Лосевым радиоприёмник с генерирующим диодом «кристадин» принёс молодому учёному и изобретателю всемирную известность. Французские, английские, голландские, американские научные журналы называли кристадин Лосева «сенсационным изобретением», а самого девятнадцатилетнего учёного «профессором». Продолжая исследовать принципы работы кристадина, О.В. Лосев доказал, что в их основе лежат не тепловые эффекты, а электронные процессы на границе полупроводника и металла. Ему удалось впервые применить генерирующие свойства полупроводников на практике.

                             

Кристадин конструкции   О.В. Лосева                  Брошюра О.В. Лосева «Кристадин»                Страницы зарубежных публикаций

Кристадин Лосева подготовил открытие транзисторного эффекта американскими учёными в 1947 году. В автобиографии, датированной 12 июля 1939 года, О.В. Лосев, перечисляя свои достижения последних лет, писал: «установлено, что с полупроводниками может быть построена трехэлектродная система, аналогичная триоду, как и триод, дающая характеристики, показывающие отрицательное сопротивление». С полным основанием О.В. Лосева можно считать причастным к созданию полупроводникового транзистора – одного из великих достижений двадцатого века.

Продолжая исследования свойств кристаллов, Лосев на карборундовом детекторе обнаружил холодное безынерционное свечение. В мировой физике это явление получило название «электролюминесценция» или просто – «свечение Лосева» (Losev light, Lossew Licht). На современном языке это означает, что О.В. Лосев является изобретателем полупроводникового светодиода (LED – Light Emited Diode). Это, безусловно, главная заслуга О.В. Лосева. Сегодня светодиодные источники света, дисплеи, телевизоры вытесняют другие типы таких приборов.

1925–1926 годы. Изучая эмпирические закономерности, связывающие отрицательное сопротивление в генерирующей точке кристалла цинкита с режимом колебаний и различными элементами схемы, Лосев обнаружил трансформирование высокой частоты в пониженную при посредстве выпрямительного устройства. Так О.В. Лосев открыл новое явление, названное им, по аналогии с трансформацией напряжения, трансгенерацией.

В 1927-1928 годах О.В. Лосев открыл емкостный фотоэффект в полупроводниках, т.е. способность кристаллов преобразовывать световую энергию в электрическую (принцип действия солнечных батарей).

О.В. Лосев (первый слева) и группа сотрудников Нижегородской радиолаборатории

В связи с реорганизацией Нижегородской радиолаборатории в декабре 1928 года О.В. Лосев переведен в Центральную радиолабораторию в Ленинграде, где работал старшим лаборантом, с 1933 – старшим инженером. По согласованию с академиком А.Ф. Иоффе он проводил часть экспериментов по изучению полупроводниковых кристаллов в Ленинградском физико-химическом институте.

Занимаясь исследованиями свойств естественных полупроводниковых гетероструктур на поверхности карборунда, О.В. Лосев впервые в мире применил метод зондовой микроскопии. Это был прообраз современных зондовых микроскопов, которые совершили революцию в микроскопии.

В 1938 году О.В. Лосеву присуждена ученая степень кандидата физико-математических наук по совокупности работ без защиты диссертации. Великую Отечественную войну О. В. Лосев встретил, работая на кафедре физики Первого Ленинградского медицинского института. Он отказался от эвакуации и не прекратил своей научной деятельности. Им были разработаны электростимулятор сердечной деятельности, портативный прибор для обнаружения металлических осколков в ранах, система противопожарной сигнализации. Несмотря на язвенную болезнь желудка и недостаточное питание, Лосев стал донором и отдавал свою кровь защитникам Ленинграда. Все это самым неблагоприятным образом сказалось на его здоровье.

22 января 1942 года Олег Владимирович Лосев скоропостижно скончался в блокадном Ленинграде.

К юбилею выдающегося ученого и замечательного человека Олега Владимировича Лосева в Музее «Нижегородская радиолаборатория» приурочена очередная экспресс-выставка проекта «Открываем фонды». Приглашаем познакомиться с основной экспозицией Музея и новой выставкой. 

Все новости